[发明专利]一种含硫空位MoS2纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811375638.8 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109453791A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 周玥;孟超;杜希文 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;C01G39/06 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 李宏伟 |
| 地址： | 266000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含硫空位MoS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：步骤1：MoS2纳米片前驱体的合成；步骤2：将所述前驱体利用激光液相烧蚀法进行纳秒激光辐照；步骤3：将纳秒激光辐照的产物经过冷冻干燥后最终得到所述硫空位MoS2纳米片。利用本发明方法激光合成含硫空位的MoS2纳米片的方法清洁、快速、高效，具有传统方法不可比拟的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 空位 激光辐照 前驱体 制备 激光液相烧蚀法 激光合成 合成 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种含硫空位MoS2纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：MoS2纳米片前驱体的合成；步骤2：将所述前驱体利用激光液相烧蚀法进行纳秒激光辐照；步骤3：将纳秒激光辐照的产物经过冷冻干燥后最终得到所述硫空位MoS2纳米片。
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