[发明专利]底切结构测量系统和底切结构测量方法在审
申请号: | 201811354461.3 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN111189395A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 袁晓峰 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 梁香美 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供的底切结构测量系统和底切结构测量方法,涉及半导体器件相关精密测量技术领域。其中,底切结构测量系统包括:光源,用于提供对待测部件进行扫描的扫描光束;光强探测器,该光强探测器设置于经待测部件的各位置反射的反射光束的传输路径上,以感应反射光束得到对应的光强信号;电子设备,该电子设备与光强探测器连接,用于获取光强探测器感应待测部件各位置反射的反射光束得到的光强信号,并根据该光强信号计算得到底切结构的宽度。通过上述设置,可以改善现有技术中对底切结构的宽度进行测量存在的测量精度较低、测量方法较复杂或测量成本较高的问题。 | ||
搜索关键词: | 切结 测量 系统 测量方法 | ||
【主权项】:
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