[发明专利]一种带电压隔离的低功耗PMOS管衬底切换电路有效
| 申请号： | 201811354080.5 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111193506B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张亮;易冬柏;王静;张永光;王聪 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 高凤荣 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带电压隔离功能的低功耗PMOS管衬底切换电路，包括衬底切换控制单元、衬底切换单元、第一电压输入端、第二电压输入端、衬底电压输出端，衬底切换控制单元产生合理的判断逻辑信号，用于控制衬底切换单元，将衬底电压输出端始终连接到第一电压输入端、第二电压输入端的最高电位，包括若干PMOS管、第二弱下拉器件，衬底切换单元将PMOS管的衬底始终连接到第一电压输入端、第二电压输入端的最高电位，包括若干PMOS管、弱下拉器件，PMOS管、弱下拉器件为低耐压器件，本发明采取器件耐压隔离方法，使得器件的耐压值控制在安全工作范围以内，达到使用低耐压器件实现高耐压值的自动衬底切换电路，电源电压差分辨率高，功耗消耗低。既降低了芯片生产制造成本，也提高了芯片耐压兼容性，拓宽了芯片应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 隔离 功耗 pmos 衬底 切换 电路 | ||
【主权项】：
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