[发明专利]无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 201811351362.X 申请日: 2018-11-14
公开(公告)号: CN109856924A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 李相珉;朴相玄;朱愿暾 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本申请提供一种无掩模曝光方法、一种无掩模曝光设备和一种制造半导体装置的方法。无掩模曝光方法包括:将从光源输出的光空间调制成具有掩模图案的图案光束;将调制的图案光束会聚成第一组点光束和第二组点光束,第一组点光束在实质上与目标层的曝光表面垂直的Z轴上具有第一焦点位置,第二组点光束具有与第一焦点位置不同的第二焦点位置;并且利用第一组点光束和第二组点光束扫描目标层。目标层具有第一高度和与第一高度不同的第二高度。
搜索关键词: 无掩模曝光 焦点位置 目标层 半导体装置 图案光束 无掩模曝光设备 方法和设备 光束扫描 光源输出 曝光表面 掩模图案 垂直的 光空间 调制 制造 会聚 申请
【主权项】:
1.一种无掩模曝光方法,包括:将从光源输出的光空间调制成具有掩模图案的图案光束;将调制的图案光束会聚成第一组点光束和第二组点光束,所述第一组点光束在实质上与目标层的曝光表面垂直的Z轴上具有第一焦点位置,所述第二组点光束具有与所述第一焦点位置不同的第二焦点位置;以及利用所述第一组点光束和所述第二组点光束扫描所述目标层,其中,所述目标层具有第一高度和不同于所述第一高度的第二高度。
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