[发明专利]一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料及制备方法在审
| 申请号： | 201811351339.0 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109371374A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 寇化秦;包锦春;叶荣兴;何晖;黄志勇;张光辉 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 陈春华 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料及制备方法，解决现有技术中ZrCo贮氚材料的贮氢容量小，抗歧化性能差的问题。本发明的薄膜结构的ZrCo基贮氚材料，由ZrCo掺杂金属元素制成，金属元素选自Ti、Hf、Ni、Fe中的一种或多种，金属元素的原子百分质量含量为0～50％。本发明的薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法为：将合金靶、或/和单质靶装在磁控溅射仪上，控制样品台加热温度为100～950℃，靶基距为5～14cm，极限真空为1×10‑6～1×10‑4Pa，惰性气氛下溅射，得到薄膜结构的ZrCo基贮氚材料；将ZrCo基贮氚材料进行退火处理。本发明设计科学，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜结构 制备 金属元素 掺杂金属元素 磁控溅射仪 极限真空 退火处理 贮氢容量 靶基距 合金靶 样品台 单质 溅射 歧化 加热 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料，其特征在于，由ZrCo掺杂金属元素制成，所述金属元素选自Ti、Hf、Ni、Fe中的一种或多种，所述金属元素的原子百分质量含量为0～50％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所，未经中国工程物理研究院材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811351339.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
