[发明专利]磁阻元件、其制造方法和磁传感器有效
| 申请号： | 201811348219.5 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786545B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 本间康平;三浦聪 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01;G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻元件，其具有：磁化方向在外部磁场中改变的磁化自由层；磁化方向在外部磁场中固定的磁化固定层；以及设置在磁化自由层和磁化固定层之间且表现出磁阻效应的势垒层。势垒层为包含Mg和Al的合金的氧化物，且所述势垒层包括结晶区和非结晶区。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 制造 方法 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，其中，包括：磁化自由层，其磁化方向根据外部磁场而改变；磁化固定层，其磁化方向相对于所述外部磁场被固定；以及势垒层，其被设置在所述磁化自由层和所述磁化固定层之间并且表现出磁阻效应，其中所述势垒层是包含Mg和Al的合金的氧化物，并且所述势垒层包括结晶区和非结晶区。
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