[发明专利]电容层析成像传感器及系统有效
| 申请号： | 201811346320.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111175354B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 孟霜鹤;叶茂;黄凯;刘中民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 校丽丽 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种电容层析成像传感器，包括阵列式电极、开合式的绝缘片、开合式的支撑架、开合式的电阻炉；阵列式电极包括多个沿绝缘片内周壁固定的单电极，其中，阵列式电极在测量时围合在测试用管的外周壁上；绝缘片固定在支撑架上以使阵列式电极与支撑架绝缘；阵列式电极位于电阻炉的炉腔中并且通过支撑架固定在该电阻炉的炉壁上以使阵列式电极随电阻炉一起做开合运动，从而使得电容层析成像传感器在测量时可拆卸地安装在测试用管上。本申请提供的电容层析成像传感器可以实现在测试用管上拆卸和安装，即可以在不同的测试用管上重复使用，无需对每一个测试用管制作传感器，提高了测量效率也减少了人力劳动。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 层析 成像 传感器 系统 | ||
【主权项】：
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