[发明专利]一种新型可调太赫兹超材料吸波结构有效
| 申请号： | 201811344668.2 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109659702B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 余洪斌;苏欣;李琦;李威;冯楚桓;张欣峰;熊晗;曾扬舰;周航;范甜甜;邵健;朱业锦;石樊 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 42201 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调太赫兹超材料吸波结构，包括介质材料基底以及分布于该基底上的超材料单元，任意一个超材料单元包括对应设置的一对底部金属层及超材料阵列；其中，超材料阵列固定设置在柔性的介质薄膜上，该介质薄膜同样位于介质材料基底上且与之键合；底部金属层设置在介质材料基底上且位于超材料阵列的正下方；在介质薄膜与底部金属层之间对应形成有空腔，通过调整该空腔的压强能够实现该超材料吸波结构整体对太赫兹波吸收的调控。本发明通过对该超材料吸波结构的整体构成，尤其是对关键的超材料调控原理(即相应的太赫兹波吸引调控原理)及其相应组件等进行改进，与现有技术相比能够有效解决超材料制备不便、调节不灵活等的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 超材料 吸波结构 基底 底部金属层 介质薄膜 介质材料 超材料单元 太赫兹波 可调 调控 压强 固定设置 相应组件 有效解决 键合 空腔 制备 灵活 吸收 改进 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种可调太赫兹超材料吸波结构，其特征在于，包括介质材料基底以及分布于该基底上的超材料单元，任意一个所述超材料单元包括对应设置的一对底部金属层及超材料阵列；其中，所述超材料阵列为金属结构且固定设置在柔性的介质薄膜上，该介质薄膜同样位于所述介质材料基底上且与之键合；所述底部金属层设置在所述介质材料基底上且位于所述超材料阵列的正下方，所述超材料阵列在该介质薄膜所在平面上的投影完全被包含在所述底部金属层在该介质薄膜所在平面上的投影之中；并且，在所述介质薄膜与所述底部金属层之间对应形成有空腔，该空腔是通过所述介质薄膜与所述介质材料基底两者的键合而形成的空间，该空腔用于调控所述超材料单元对太赫兹波的吸收，通过调整该空腔的压强能够实现该超材料吸波结构整体对太赫兹波吸收的调控。/n
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