[发明专利]一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法在审
| 申请号： | 201811340564.4 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109582224A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 魏德宝;乔立岩;郝梦琪;冯骅;彭喜元 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了提出了一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法，该方法不仅考虑数据块的P/E次数，当数据块P/E次数相等时，优先选择上次写入时间最早的数据块，以此可延长数据的驻留时间。本发明目的在于通过存储数据块所经历的P/E次数并存储该块上次写入数据的时间，来研究磨损程度不同的块在不同程度的自恢复效应时数据驻留错误的变化规律，从而提高NAND Flash的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 数据块 自恢复 可靠性优化 驻留 存储数据块 变化规律 写入数据 磨损 相等 写入 存储 研究 | ||
【主权项】：
1.一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：准备进行数据写入操作；步骤二：遍历信息存储表，找到P/E次数最少的数据块；步骤三：判断所找到的P/E次数最少的数据块是否唯一；步骤四：若唯一，则直接将数据写入所述P/E次数最少的数据块；若不唯一，则在具有相同P/E次数的数据块内遍历查找，找出停留时间最长的数据块，最后将数据写入停留时间最长的数据块；步骤五：更新信息存储表中数据块的P/E次数及上次写入时间。
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