[发明专利]制造包括增强顶部晶片的半导体封装的方法在审
| 申请号： | 201811324296.7 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110176403A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 韩权焕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制造包括增强顶部晶片的半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可包括以下步骤：在基础晶片晶圆上形成层叠结构；在层叠结构上设置顶部晶片晶圆；以及形成填充基础晶片晶圆与顶部晶片晶圆之间的空间的模制层。 | ||
| 搜索关键词： | 顶部晶片 晶圆 半导体封装 层叠结构 基础晶片 制造 模制层 填充 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体封装的方法，该方法包括以下步骤：在基础晶片晶圆上形成层叠结构；在所述层叠结构上设置顶部晶片晶圆；以及形成填充所述基础晶片晶圆与所述顶部晶片晶圆之间的空间的模制层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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