[发明专利]一种双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法有效
| 申请号： | 201811321281.5 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109585856B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;杨柳;闫术芳;丁玉岳 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/90;C25B11/055;C25B1/04;C25D9/06;C25D13/08;C08G73/02 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，利用电沉积与空气气氛退火制备片状氧化钴阵列原位电极，再用电沉积或化学浴交替反应法在氧化钴表面生长聚苯胺后于保护气氛下退火反应，其中聚苯胺在硫气氛下形成硫、氮掺杂的碳材料，氧化钴在硫气氛下转变为硫化钴。本发明的技术方案得到的产品，由于构筑了多种高电催化活位点，包括碳材料中硫、氮共掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷，具有优异的电催化氧还原反应（ORR）性能；硫化钴具有较好的电催化氧析出反应（OER）和ORR性能；此外硫化钴与碳材料与强界面耦合效应形成的界面亦具有优异的电催化OER和OER性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功能 硫化 掺杂 原位 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学，未经三峡大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811321281.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种TAU主备切换方法
- 下一篇：利用金属离子诱导石墨烯三维网络的制备方法
