[发明专利]一种基于温度场的电子束熔覆工艺参数优化方法及系统有效
| 申请号： | 201811317166.0 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109190322B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘海浪;祁正伟;黄以平;张国培;王波;王小宇 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06T17/20;G06F111/10;G06F119/08;G06F119/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 541000 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于温度场的电子束熔覆工艺参数优化方法及系统。方法包括：获取熔覆条件和结构尺寸，所述熔覆条件包括环境温度、熔覆工艺、熔覆层材质和基体材质，所述结构尺寸包括熔覆层尺寸和基体尺寸；根据所述熔覆条件和所述结构尺寸，建立有限元分析模型；对所述限元分析模型进行网格划分，得到熔覆数学模型；对所述熔覆数学模型进行移动加载，得到熔覆温度场的分布；对所述熔覆温度场的分布进行分析，得到最优加工参数；对所述最优加工参数采用单变量试验，得到最优参数。采用本发明的方法或系统能够避免大量试验工件的浪费，减少熔覆参数优化的工作量，降低试验成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 温度场 电子束 工艺 参数 优化 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种基于温度场的电子束熔覆工艺参数优化方法，其特征在于，包括：获取熔覆条件和结构尺寸，所述熔覆条件包括环境温度、熔覆工艺、熔覆层材质和基体材质，所述结构尺寸包括熔覆层尺寸和基体尺寸；根据所述熔覆条件和所述结构尺寸，建立有限元分析模型；对所述限元分析模型进行网格划分，得到熔覆数学模型；对所述熔覆数学模型进行移动加载，得到熔覆温度场的分布；对所述熔覆温度场的分布进行分析，得到最优加工参数；对所述最优加工参数采用单变量试验，得到最优参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811317166.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
