[发明专利]一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811298691.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111146336A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 胡冬冬;王珏斌;蒋中原;刘自明;车东晨;崔虎山;陈璐;任慧群;孙宏月;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟;袁建水 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。本发明能够有效改善高密度小器件生产过程中受掩蔽效应的影响。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性，并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 隧道 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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