[发明专利]一种磁隧道结刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811298686.1 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111146335A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘自明;王珏斌;蒋中原;车东晨;崔虎山;胡冬冬;陈璐;孙宏月;韩大健;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 袁伟东;阿苏娜 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤，在上述过程需多次进出各腔室，各腔室间的传递均在真空状态下进行。本发明能够克服高密度的小器件生产的瓶颈，拓宽刻蚀反应气体的可选择范围，减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，同时能够大幅提高器件的良率、可靠性，制造方法简单、快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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