[发明专利]一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度天线阵列有效
| 申请号： | 201811292131.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109494460B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 唐明春;余亚清;陈志远;孙笑帅;熊汉 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q15/24;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线。该阵列天线包括两辐射贴片、设置于两辐射贴片之间正上方的悬置混合型互耦抑制结构和寄生耦合地板。所述悬置混合型互耦抑制结构由两层不同的结构构成，位于两辐射贴片之间正上方。本发明为多层PCB结构，易加工集成，尺寸小，剖面低，且在宽频带内具有高隔离特性，并且天线的其它性能保持良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 隔离 极化 宽带 高密度 天线 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：包括两方形辐射贴片(1)/圆形辐射贴片(1’)置于两辐射贴片之间正上方的悬置混合型互耦抑制结构(2)(3)/(2’)(3’)寄生耦合的地板(4)/(4’)，所述悬置混合型互耦抑制结构由两层不同的结构构成，位于两辐射贴片之间正上方。
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