[发明专利]二维Ga1-x

摘要

本发明公开了一种二维Ca1‑xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用，属于材料制备技术及高性能可见‑近红外光电探测器领域；合金的制备方法为：将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，抽真空，升温后保温，降温得块体合金材料；将SiO2/Si基底进行预处理；透明胶带粘贴块体合金材料，然后粘贴在处理后的基底上，浸泡在丙酮中，取出基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1‑xInxSe合金。制备的二维合金用于制备光电探测器，在可见‑近红外光照射下电流显著增加，合金具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达258A/W，是GaSe光响应值的92倍。

主权项

1.一种二维Ca1‑xInxSe合金的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，然后将石英舟放入管式炉并将管式炉抽真空，并通入保护气体，一次升温后进行一次保温一段时间，然后二次升温，再二次保温一段时间，降温至室温，制得块体Ca1‑xInxSe合金材料；步骤二、将SiO2/Si基底进行预处理；步骤三、用透明胶带反复粘贴块体Ca1‑xInxSe合金材料，然后将透明胶带粘贴在经步骤一处理后的SiO2/Si基底上，撕去透明胶带后，将‑SiO2/Si基底浸泡在丙酮中，取出SiO2/Si基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1‑xInxSe合金。