[发明专利]沟槽填充工艺、半导体器件的制作方法与半导体器件有效
| 申请号： | 201811290161.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128851B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 刘哲;左正笏 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种沟槽填充工艺、半导体器件的制作方法与半导体器件。该填充工艺包括：步骤S1，提供一个具有沟槽的半导体基底；步骤S2，在沟槽中填充第一预介质层，第一预介质层的厚度为h1，沟槽的深度为h，0h1h；步骤S3，采用第一处理工艺对第一预介质层进行处理，使得第一预介质层的收缩率大于或等于1％，形成第一介质层；步骤S4，在第一介质层的裸露表面上设置第二介质层，第二介质层的厚度为h2，h2≥h‑h1。该填充工艺能够防止沟槽的顶部开口过早闭合，进而缓解或者避免沟槽中产生孔洞的问题，形成相对致密的填充物，进一步保证了沟槽两侧的器件的隔离绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 工艺 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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