[发明专利]一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811274688.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109183124B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 周灵平;陈庆伶;杨武霖;朱家俊;符立才;李德意 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;蒋尊龙 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法，所述黑氧化锆纳米管薄膜的光学禁带宽度为1.0‑3.0eV。制备方法如下：（1）以惰性电极为阴极，以抛光后的锆片为阳极，在含氟的电解液中进行阳极氧化，制得氧化锆纳米管薄膜；（2）将所述氧化锆纳米管薄膜清洗后，干燥，再在保护或真空气氛、500‑800℃的条件下进行热处理，得到窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜。本发明首次获得了一类禁带宽度很窄的外观为黑色的氧化锆纳米管薄膜，其可以在较低温度通过较为简便的方法制备，成本较低，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 窄禁带黑 氧化锆 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜，其特征在于，所述黑氧化锆纳米管薄膜的光学禁带宽度为1.0‑3.0eV。
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