[发明专利]一种校准外延腔温度的方法有效

专利信息
申请号: 201811253222.9 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109238510B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 董晨华;林志鑫;季文明;刘源 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: G01K13/00 分类号: G01K13/00;G05D23/19
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种校准外延腔温度的方法,所述方法包括:提供若干晶圆;提供第一外延腔,在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面,分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值;提供第二外延腔,在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面,分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值;将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。根据本发明提供的校准外延腔温度的方法,可以简单、准确、直接地校准外延腔温度,从而提高外延产品的质量。
搜索关键词: 一种 校准 外延 温度 方法
【主权项】:
1.一种校准外延腔温度的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供若干晶圆;提供第一外延腔,在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面,分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值;提供第二外延腔,在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面,分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值;将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。
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