[发明专利]掩模的形成方法在审
申请号: | 201811248680.3 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109839800A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 张世明;陈铭锋;杨民安;魏绍琦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G03F1/52 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供形成掩模的方法。此方法包括在透明基板之上形成遮光层。此方法包括在遮光层之上形成遮罩层。遮罩层覆盖遮光层的第一部分,且第一部分位于透明基板的第二部分之上。此方法包括去除没有被遮罩层覆盖的遮光层。此方法包括去除遮罩层。在去除遮罩层期间,去除遮光层的第一部分。此方法包括去除透明基板的第二部分,以在透明基板中形成第一凹槽。此方法包括在第一凹槽中形成第一遮光结构。 | ||
搜索关键词: | 遮光层 遮罩层 去除 透明基板 掩模 遮光结构 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种掩模的形成方法,包括:在一透明基板之上形成一遮光(light blocking)层;在该遮光层之上形成一遮罩层,其中该遮罩层覆盖该遮光层的一第一部分,且该第一部分位于该透明基板的一第二部分之上;去除没有被该遮罩层覆盖的该遮光层;去除该遮罩层,其中在去除该遮罩层期间,去除该遮光层的该第一部分;去除该透明基板的该第二部分,以在该透明基板中形成一第一凹槽;以及在该第一凹槽中形成一第一遮光结构。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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