[发明专利]基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法在审
| 申请号： | 201811244735.3 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109179314A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 钱林茂;汪红波;余丙军;蒋淑兰;陈磊;江亮 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、在大于单晶硅屈服极限的接触压力下利用金刚石探针在单晶硅样品表面进行刻划，对刻划后的单晶硅样品进行清洗以去除表面的磨屑和杂质；S2、将清洗后的单晶硅样品浸入到体积比为1：5～1：100范围内的氢氟酸/硝酸混合溶液中进行刻蚀，刻蚀时间为1～60s，刻蚀完成后取出单晶硅样品，并对其表面再次进行清洗，获得所需单晶硅表面纳米结构。本发明通过巧妙地将摩擦诱导纳米加工工艺整合到基于HF/HNO3溶液的刻蚀体系中，成功地将HF/HNO3这种传统的各向同性刻蚀剂在单晶硅表面进行各向异性刻蚀加工，该项技术方案突破了多年来HF/HNO3在微电子领域一直无法直接刻蚀出纳米结构限制。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 单晶硅样品 硝酸混合溶液 纳米加工 氢氟酸 清洗 诱导 单晶硅表面 摩擦 纳米结构 刻划 各向同性刻蚀剂 各向异性刻蚀 单晶硅 金刚石探针 微电子领域 浸入 工艺整合 接触压力 传统的 体积比 磨屑 去除 屈服 取出 加工 成功 | ||
【主权项】：
1.一种基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、在大于单晶硅屈服极限的接触压力下利用金刚石探针在单晶硅样品表面进行刻划，对刻划后的单晶硅样品进行清洗以去除表面的磨屑和杂质；S2、将清洗后的单晶硅样品浸入到体积比为1：5～1：100范围内的氢氟酸/硝酸混合溶液中进行刻蚀，刻蚀时间为1～60s，刻蚀完成后取出单晶硅样品，并对其表面再次进行清洗，获得所需单晶硅表面纳米结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811244735.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
