[发明专利]形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法有效
| 申请号： | 201811244166.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698166B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;禹永倬;丹尼尔·恰尼莫盖姆;B·C·保罗;拉尔斯·W·赖柏曼;H·涅博热夫斯基;朱雪莲;孙磊;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法，所揭示的一示范方法主要包括：选择性地形成栅极至源极/漏极(GSD)接触开口及CB栅极接触开口于至少一层绝缘材料中以及在相应开口中形成初始栅极至源极/漏极(GSD)接触结构与初始CB栅极接触结构，其中，该GSD接触结构与该CB栅极接触结构中的各者的上表面位在第一层级，以及对该初始GSD接触结构及该初始CB栅极接触结构执行凹陷蚀刻制程以形成凹陷GSD接触结构与凹陷CB栅极接触结构，其中，这些凹陷接触结构中的各者的凹陷上表面位在低于该第一层级的第二层级。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体管 装置 栅极 接触 结构 交叉 耦合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：在至少一层绝缘材料中形成栅极至源极/漏极(GSD)接触开口与CB栅极接触开口；形成初始栅极至源极/漏极(GSD)接触结构于该GSD接触开口中以及初始CB栅极接触结构于该CB栅极接触开口中，其中，该GSD接触结构与该CB栅极接触结构中的各者的上表面位在第一层级；以及对该初始GSD接触结构及该初始CB栅极接触结构执行凹陷蚀刻制程以形成凹陷GSD接触结构与凹陷CB栅极接触结构，其中，该凹陷GSD接触结构与该凹陷CB栅极接触结构中的各者的凹陷上表面位在低于该第一层级的第二层级。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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