[发明专利]一种低损耗纳米晶软磁合金的制备方法

摘要

本发明提供了一种低损耗纳米晶软磁合金的制备方法。该方法将急冷技术制得的带材进行晶化热处理时，将热处理过程分为四步，第一步在铜团簇析出温度区间沿合金带材长度方向加磁场保温；第二步在最佳释放潜热温度区间进行无磁场条件下保温；第三步在α‑Fe相纳米晶粒最佳晶化和长大温度区间沿合金带材长度方向加磁场保温；最后在低于铜团簇析出温度沿带材宽度方向加磁场保温。与现有的热处理方法相比，该方法能够降低纳米晶软磁合金的高频损耗，提高纳米晶软磁合金的综合性能。

主权项

1.一种低损耗纳米晶软磁合金的制备方法，包括采用急冷技术制备带材的过程，以及将所述带材经晶化热处理获得纳米晶软磁合金的过程；其特征是：表示所述纳米晶软磁合金组分及其原子百分比的化学式为FeaSibBcNbdCue(M)f，其中，M选自元素组合MoCTi、TiAlV、TiGaO、VCAl和MoCO中的一种，下标a、b、c、d、e和f分别为各组分对应的原子百分比，并且75≤a≤79，8.5≤b≤14，7.5≤c≤10，1.5≤d≤2.5，0.8≤e≤1.2，0≤f≤0.5；热处理过程包括如下步骤：(1)将所述带材升温至铜团簇析出温度保温一定时间，保温期间沿合金带材长度方向施加磁场；所述铜团簇析出温度在390℃‑410℃范围；(2)将经步骤(1)热处理后的带材升温至最佳释放潜热温度保温一定时间，保温过程是在无磁场条件下进行；所述的最佳释放潜热温度在Tx1‑5℃到Tx1‑20℃之间的温度区间，其中Tx1为所述带材中α‑Fe相纳米晶粒开始析出温度，即，第一晶化峰的开始晶化温度；(3)将经步骤(2)热处理后的带材升温至在α‑Fe相纳米晶粒最佳晶化和长大温度区间保温一定时间，保温期间沿合金带材长度方向施加磁场；所述的α‑Fe相纳米晶粒最佳晶化和长大温度在Tx1+20℃到Tx1+70℃之间的温度区间，其中Tx1为所述带材中α‑Fe相纳米晶粒开始析出温度，即，第一晶化峰的开始晶化温度；(4)将经步骤(3)热处理后的带材降温至低于所述铜团簇析出温度保温一定时间，保温期间沿合金带材宽度方向施加磁场，然后冷却至出炉温度。