[发明专利]一种薄膜元件的制造方法在审
| 申请号： | 201811234230.9 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111092017A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘振宇;林熙乾;林建宏;刘正平;柯山文 | 申请（专利权）人： | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜元件的制造方法包含形成一栅极金属层于一基板，再形成一栅极绝缘层于该栅极金属层上。接着，形成至少一含硅层于该栅极绝缘层上，之后闪光灯退火该栅极金属层以及该含硅层，并形成一源极金属层以及一漏极金属层于该含硅层上。闪光灯退火结晶可一次性、大面积对于薄膜发射高能量闪光，非晶硅层受到足够光能量即发生结晶。含硅层的掺杂层与源极‑漏极金属层相接，拥有较佳的欧姆接触(ohmic contact)特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
