[发明专利]查询多片flash状态的方法、装置及计算机可读存储介质有效

专利信息
申请号: 201811233367.2 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109445698B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 龚乐;吴大畏;李晓强;黄慧 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市南山区科技南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种查询多片flash状态的方法,包括:在检测到flash状态查询指令时,获取基于所述flash状态查询指令的目标数据寄存器状态参数;在确认当前FIO在空闲应用状态时,执行flash轮询操作;基于当前的flash轮询操作确认目标flash,并根据目标flash状态寄存器的状态参数确认flash状态查询指令是否查询成功;在确认所述目标flash的数据寄存器状态参数与已获取到的目标数据寄存器状态参数一致时,确认flash状态查询指令查询成功。本发明还公开了一种查询多片flash状态的装置及计算机可读存储介质。本发明将查询多片flash状态的操作穿插到FIO空闲时刻。根据查询到的flash状态直接操作查询到的flash,节省了查询时间,进而实现了提高flash应用状态查询效率的有益效果。
搜索关键词: 查询 flash 状态 方法 装置 计算机 可读 存储 介质
【主权项】:
1.一种查询多片flash状态的方法,其特征在于,所述查询多片flash状态的方法包括以下步骤:在检测到flash状态查询指令时,获取基于所述flash状态查询指令的目标数据寄存器状态参数;在确认当前FIO在空闲应用状态时,执行flash轮询操作;基于当前的flash轮询操作确认目标flash,并根据所述目标flash的数据寄存器状态参数确认所述flash状态查询指令是否查询成功;在确认所述目标flash的数据寄存器状态参数与已获取到的目标数据寄存器状态参数一致时,确认所述flash状态查询指令查询成功。
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