[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811220272.7 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109698272B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郑智贤;朴日穆;宋时虎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10;H10N70/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该器件包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间。所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案。所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间，其中，所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案，并且其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
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