[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

第一导电线，在第一方向上延伸；

第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；

第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及

第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间，

其中，所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案，并且

其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述存储器单元还包括：

第二电阻率控制图案，处于所述第二电极与所述可变电阻图案之间，

其中，所述第二电阻率控制图案的电阻率大于所述第一电阻率控制图案的电阻率。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案的电阻率为所述第一电阻率控制图案的电阻率的10至500倍。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案的宽度和所述第二电阻率控制图案的宽度彼此不同。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案的宽度小于所述可变电阻图案的宽度。

6.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案的侧表面与所述可变电阻图案的侧表面对准。

7.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案接触所述可变电阻图案。

8.根据权利要求2所述的器件，其中，当电流在所述第一电极与所述第二电极之间流动时，在所述第二电阻率控制图案与所述可变电阻图案之间的界面处发热。

9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案的宽度小于所述可变电阻图案的宽度。

10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案接触所述中间电极。

11.一种可变电阻存储器件，包括：

第一字线和第二字线，在第一方向上延伸；

位线，处于所述第一字线与所述第二字线之间，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

第一存储器单元，处于所述第一字线与所述位线之间的交叉点处；以及

第二存储器单元，处于所述第二字线与所述位线之间的交叉点处，

其中，所述第一存储器单元包括从所述第一字线到所述位线布置的第一切换图案、第一中间电极、第一电阻率控制图案、第一可变电阻图案和第二电阻率控制图案，并且

其中，所述第二存储器单元按以下次序包括：从所述位线到所述第二字线布置的第二切换图案、第二中间电极、第三电阻率控制图案、第二可变电阻图案和第四电阻率控制图案，

其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电阻率控制图案的电阻率。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案的电阻率与所述第三电阻率控制图案的电阻率基本相同，

其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率与所述第四电阻率控制图案的电阻率基本相同，并且

其中，所述第二电阻率控制图案和所述第三电阻率控制图案的电阻率大于所述第一电阻率控制图案和所述第四电阻率控制图案的电阻率。

13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案和所述第三电阻率控制图案的宽度小于所述第一可变电阻图案和所述第二可变电阻图案的宽度。