[发明专利]三相位单轨预充电逻辑装置有效
| 申请号： | 201811219004.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109474415B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;蔡里昂;叶茂;马浩诚;辛睿山 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及信息安全领域、抗功耗攻击领域，为防止攻击者通过放慢时钟获得放电阶段的功耗差异，从而使得防护失效。同时该种逻辑单元可以使得单元的功耗在每个求值周期内都是相同的，消除不同输入信号下的功耗差异，使得攻击者不能通过DPA攻击获取密钥。为此，本发明采取的技术方案是，三相位单轨预充电逻辑装置，包括PMOS晶体管P1，NMOS晶体管N1，NMOS晶体管N2，NMOS晶体管N3，NMOS晶体管N4以及起到电荷存储作用的NMOS晶体管C1。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 相位 单轨 充电 逻辑 装置 | ||
【主权项】：
1.一种三相位单轨预充电逻辑装置，其特征是，包括PMOS晶体管P1，NMOS晶体管N1，NMOS晶体管N2，NMOS晶体管N3，NMOS晶体管N4以及起到电荷存储作用的NMOS晶体管C1；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接时钟信号CLK，漏极和NMOS晶体管管N1、N4的漏极以及输出信号O公共相连接；NMOS晶体管N1栅极接输入信号I，源极接NMOS晶体管N2漏极；NMOS晶体管N2栅极接时钟信号CLK，源极与NMOS管N3漏极和NMOS管C1栅极公共连接；NMOS晶体管N3栅极接放电信号DCH、源极接地；NMOS晶体管N4栅极接放电信号DCH，源极接地；NMOS晶体管C1源极与漏极相连，二者都接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811219004.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
