[发明专利]一种可区分紫外波段的自供电光电探测器有效

专利信息
申请号: 201811217083.4 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN109473489B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 郭道友;贺晨冉;陈凯;王顺利;李培刚;唐为华 申请(专利权)人: 北京镓族科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/109;H01L31/18
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王文君;王文红
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种可区分紫外波段的自供电光电探测器,包括生长在导电衬底上的α‑Ga2O3/Cu2O pn结光阳极,α‑Ga2O3是在透明导电衬底上生长的纳米柱阵列,Cu2O是在纳米柱阵列上生长的纳米球。本发明还提出一种α‑Ga2O3/Cu2O pn结光阳极的制备方法、以及所述自供电光电探测器的应用。本发明提出的自供电光电探测器,其中α‑Ga2O3纳米柱阵列沿着透明导电电极衬底垂直生长,阵列表面平整,尺寸均匀。Cu2O纳米球分散在纳米柱阵列表面,两者接触良好。一维的α‑Ga2O3纳米柱具有较大的比表面积,与纳米球形成pn结,可以实现对不同波段光照的区分,同时能加速光生载流子的分离和传输,提高光响应性能。
搜索关键词: 一种 区分 紫外 波段 自供 电光 探测器
【主权项】:
1.一种可区分紫外波段的自供电光电探测器,其特征在于,包括生长在导电衬底上的α‑Ga2O3/Cu2O pn结光阳极,所述的α‑Ga2O3是在透明导电衬底上生长的α‑Ga2O3纳米柱阵列,Cu2O是在α‑Ga2O3纳米柱阵列上生长的Cu2O纳米球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京镓族科技有限公司,未经北京镓族科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811217083.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top