[发明专利]微流体递送器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811204454.5 申请日: 2015-11-02
公开(公告)号: CN109454995B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: D·法拉利;L·M·卡斯托尔迪;P·菲拉里;M·卡米纳蒂 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14;B41J2/16
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地,用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
搜索关键词: 流体 递送 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种微流体器件,包括:流体贮存器,具有配置为容纳流体的内部;以及微流体递送器件,机械地耦合到所述流体贮存器,并且包括:喷嘴板,包括喷嘴,所述喷嘴具有延伸穿过所述喷嘴板的开口;腔室本体,耦合到所述喷嘴板,所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的外延硅生长层;腔室,至少部分地由形成在所述外延硅生长层中的腔、以及所述喷嘴板的表面形成,所述腔室与所述喷嘴流体连通、并且与所述流体贮存器流体连通;以及金属层,围绕流体腔室形成环,并且在所述腔室本体和所述喷嘴板之间形成流体密封,所述金属层将所述腔室本体耦合到所述喷嘴板。
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