[发明专利]通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201811197229.3 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109200472B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 殷涛;王腾飞;刘志朋;王欣 申请(专利权)人: 中国医学科学院生物医学工程研究所
主分类号: A61N2/02 分类号: A61N2/02
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 杨海明
地址: 300192 *** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及H线圈颅内场分布领域,尤其涉及通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法及装置。包括:获取包含边缘系统的真实头部模型;根据所述真实头部模型的外轮廓,建立H线圈模型;在所述H线圈模型的回路部分内侧,建立具有不同物理参数的导电块模型;在所述H线圈模型的底座部分,头部前侧及左右两侧,建立具有不同物理参数的导磁块模型;运用有限元方法模拟所述导电块模型与所述导磁块模型结合下的所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布。本发明可以实现在H线圈固定的情况下,通过调整外部导电块导磁块模型的物理参数,调控颅内感应电场分布情况,为H线圈优化提供一定的参考与思路。
搜索关键词: 通过 导电 块导磁块 调控 线圈 内场 分布 方法 装置
【主权项】:
1.通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法,其特征在于,所述方法包括:获取包含边缘系统的真实头部模型;根据所述真实头部模型的外轮廓,建立H线圈模型;在所述H线圈模型的回路部分内侧,建立具有不同物理参数的导电块模型;在所述H线圈模型的底座部分,头部前侧及左右两侧,建立具有不同物理参数的导磁块模型;运用有限元方法模拟所述导电块模型与所述导磁块模型结合下的所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国医学科学院生物医学工程研究所,未经中国医学科学院生物医学工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811197229.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top