[发明专利]通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法及装置有效
申请号: | 201811197229.3 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109200472B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 殷涛;王腾飞;刘志朋;王欣 | 申请(专利权)人: | 中国医学科学院生物医学工程研究所 |
主分类号: | A61N2/02 | 分类号: | A61N2/02 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 杨海明 |
地址: | 300192 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及H线圈颅内场分布领域,尤其涉及通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法及装置。包括:获取包含边缘系统的真实头部模型;根据所述真实头部模型的外轮廓,建立H线圈模型;在所述H线圈模型的回路部分内侧,建立具有不同物理参数的导电块模型;在所述H线圈模型的底座部分,头部前侧及左右两侧,建立具有不同物理参数的导磁块模型;运用有限元方法模拟所述导电块模型与所述导磁块模型结合下的所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布。本发明可以实现在H线圈固定的情况下,通过调整外部导电块导磁块模型的物理参数,调控颅内感应电场分布情况,为H线圈优化提供一定的参考与思路。 | ||
搜索关键词: | 通过 导电 块导磁块 调控 线圈 内场 分布 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法,其特征在于,所述方法包括:获取包含边缘系统的真实头部模型;根据所述真实头部模型的外轮廓,建立H线圈模型;在所述H线圈模型的回路部分内侧,建立具有不同物理参数的导电块模型;在所述H线圈模型的底座部分,头部前侧及左右两侧,建立具有不同物理参数的导磁块模型;运用有限元方法模拟所述导电块模型与所述导磁块模型结合下的所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布。
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