[发明专利]一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法有效
| 申请号： | 201811194808.2 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109093454B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;张理想;赵帅;陈沛;安彤;代岩伟 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B49/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆减薄亚 表面 损伤 深度 快速 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一，确定晶圆磨削参数，所述磨削参数包括：磨削机台磨轮直径，磨齿宽度，晶圆直径，磨粒尺寸，主轴进给速率，主轴转速，晶圆转速，硅晶圆材料的弹性恢复系数，晶圆、主轴结合剂材料的弹性模量，硅晶圆的断裂韧性；步骤二，计算单颗磨粒的切削深度；步骤三，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系；步骤四，将单颗粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系；步骤五，将得到的磨削参数与亚表面损伤深度的关系写入程序集成于磨削机台系统，根据磨削机台设定的磨削参数，对晶圆亚表面损伤深度进行评估。
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