[发明专利]一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用在审
| 申请号： | 201811184957.0 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109490218A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李少平;贺兆波;张庭;冯凯;尹印;姜飞;王书萍 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/21 | 分类号： | G01N21/21;G01N21/25 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，所述多晶硅蚀刻液为电子级磷酸。具体内容如下：选择同一批次生产的电子级磷酸作为蚀刻液，保证初始的金属杂质种类及含量一致；然后在电子级磷酸中分别添加不同含量的同一种金属盐，验证金属离子含量对多晶硅蚀刻率的影响；同时按上述方法对同一含量不同种类的金属添加剂的蚀刻数据进行分析，得出不同种类金属离子对多晶硅蚀刻率的影响程度。本发明对半导体用电子级磷酸生产工艺中金属杂质种类及含量的控制具有指导性意义。 | ||
| 搜索关键词： | 电子级磷酸 多晶硅蚀刻 金属离子 金属杂质 蚀刻 多晶硅蚀刻液 金属添加剂 种类金属 导体 金属盐 蚀刻液 检测 生产工艺 离子 应用 验证 分析 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述的金属离子在电子级磷酸中对多晶硅蚀刻速率的检测，其中电子级磷酸浓度为85%‑86%。
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