[发明专利]一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法

摘要

本发明公开了一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：在(111)面Si衬底上生长金属插入层，并在其上继续通过金属有机物化学气相沉积法生长单晶AlN薄膜，最后在单晶AlN薄膜上沉积金属电极和支撑层。通过薄膜转移、剥离、顶电极刻蚀等过程，最终形成薄膜体声波谐振器的三明治压电堆叠结构。本发明通过引入金属插入层一方面减轻了AlN外延与生长衬底间的失配现象，提高了良品率和器件优值；另一方面在薄膜转移与剥离后可直接刻蚀出顶电极图案，简化制备工序。

主权项

1.一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在(111)面Si衬底上，通过射频磁控溅射或分子束外延法生长Mo金属插入层；(2)在Mo金属插入层上通过金属有机物化学气相沉积，生长单晶AlN薄膜作为薄膜体声波谐振器的压电层；(3)在单晶AlN薄膜表面溅射金属Mo层作为电极层，电极图形化后在电极表面制备一层金属Au，做为支撑层；(4)选用Si作为支撑衬底，通过深反应离子刻蚀在支撑衬底上刻蚀凹槽；(5)以支撑层为转移面，将步骤(3)制备得到的外延薄膜结构连同(111)面Si衬底一起转移到支撑衬底，通过键合工艺倒装贴合在支撑衬底上，实现薄膜的转移，获得空腔结构；(6)通过化学腐蚀的方法将制备(111)面Si衬底与Mo金属插入层分离；(7)对Mo金属插入层进行光刻，获得图案化的顶电极。