[发明专利]背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法有效
申请号: | 201811143763.6 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110970509B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 苏艳梅;张冶金;种明;孙捷;孙秀艳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/024 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法,该方法由以下步骤实现:用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上;用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上;用焊锡将引出线焊在陶瓷片上;用螺丝将热沉固定在金属适配器上;用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上;将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上,从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。本发明通过特定形状的适配器与热沉相配合,实现光栅耦合的量子阱红外探测器单元器件的杜瓦封装,因为和面阵器件采用相同的光耦合方式,因此可以更精确的预估面阵器件的特性。 | ||
搜索关键词: | 入射 量子 红外探测器 单元 器件 封装 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的