[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201811139025.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110033710A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33;H01L33/36;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 本发明是关于一种显示装置，其包括基板、至少一个接合电极、电性连接接合电极的至少一个发光二极管元件以及透明导电层。接合电极在发光二极管元件和基板之间。发光二极管元件包括n型半导体层、在n型半导体层和接合电极之间的p型半导体层以及中介层。p型半导体层包括高阻值部位以及由高阻值部位所包围的低阻值部位。p型半导体层的阻值由低阻值部位朝向高阻值部位增加。中介层在p型半导体层和接合电极之间。透明导电层电性连接n型半导体层。发光二极管元件在透明导电层和接合电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 接合电极 发光二极管元件 透明导电层 电性连接 显示装置 中介层 基板 部位增加 包围 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其特征在于，包括：基板；至少一个接合电极；至少一个发光二极管元件，电性连接所述接合电极，其中所述接合电极在所述发光二极管元件和所述基板之间，且所述发光二极管元件包括：p型半导体层，包括低阻值部位以及高阻值部位，其中所述低阻值部位由所述高阻值部位所包围，且所述p型半导体层的阻值由所述低阻值部位朝向所述高阻值部位增加；n型半导体层，其中所述p型半导体层在所述n型半导体层和所述接合电极之间；以及中介层，在所述p型半导体层和所述接合电极之间；以及透明导电层，电性连接所述n型半导体层，其中所述发光二极管元件在所述透明导电层和所述接合电极之间。
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