[发明专利]一种金线莲种质的试管苗慢生长保存方法

摘要

本发明提供了一种金线莲种质的试管苗慢生长保存方法，该方法包括以下步骤：S1、外植体的取材与消毒；S2、接种与诱导；S3、继代增殖；S4、试管苗低温胁迫处理；S5、试管苗慢生长保存；S6、试管苗复壮；S7、试管苗生根；S8、移栽。本发明通过改变种质材料生长的微环境条件，有效延缓了试管苗的生长速度，延长了继代培养周期，种质保存时间长达3‑4年，并且遗传性状稳定、种质存活率高、复壮效果显著，对进一步保护金线莲资源和研究、开发利用金线莲都具有重要意义。

主权项

1.一种金线莲种质的试管苗慢生长保存方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1、外植体的取材与消毒选择长势优良、无病虫害的金线莲植株，用流动水将植株洗净，去除根部及叶片，保留茎段作为外植体，在超净工作台中进行消毒处理；S2、接种与诱导将步骤S1消毒后的外植体切割成1‑2cm的带节茎段，接种于诱导培养基中，在温度22‑24℃、相对湿度60‑65%、光照强度1000‑1400lx、光照时间6‑8h/d的条件下诱导丛生芽，培养时间为25‑30d；S3、继代增殖将步骤S2诱导出的丛生芽切成具有2‑4个不定芽的小块，接种在增殖培养基上，每21d继代1次，继代2‑3次获得的试管苗作为种质保存材料；培养条件控制为温度22‑24℃，相对湿度60‑65%，光照强度1500‑2000lx，避免直射，光照时间10‑12h/d；S4、试管苗变温盐胁迫诱导将步骤S3获得的试管苗置于温度25℃、光照强度1500lx、光照14h与温度3℃、黑暗10h交替培养2d，然后用浓度为50mmol/LNaCl溶液处理1d，盐胁迫诱导试管苗；S5、试管苗慢生长保存将上述处理后的试管苗转接至种质保存培养基上，在培养基上覆盖一层无菌液体石蜡，然后置于温度10‑15℃、相对湿度55‑60%、光照强度400‑600lx、每天光照12h的条件下使试管苗缓慢生长，每12个月继代一次，继代次数最多不超过4次； S6、试管苗复壮金线莲种质保存期结束后，将上述步骤中存活的试管苗转接到复壮培养基中使其恢复生长，培养条件控制为温度23‑27℃，相对湿度60‑65%，光照强度为1400‑1800lx，避免直射，每天光照12‑14h，培养时间为17‑23d；S7、试管苗生根当复壮后的试管苗长到4‑5cm时，将苗切成单株转接到生根培养基中，在温度23‑27℃、光照强度2500‑3000lx、每天光照13‑15h的条件下诱导生根，培养时间为26‑32d，可见试管苗叶色浓绿，根多粗壮； S8、移栽将试管苗连同组培瓶转移到炼苗大棚中，打开瓶口适应性炼苗7‑10d；然后将试管苗从瓶中小心取出，洗去根部的培养基残留，将根部在质量分数为0.01%的高锰酸钾溶液中浸泡10min，然后移栽入大棚的栽培基质中，大棚的环境要求为温度 23‑28℃，空气相对湿度80‑90%，散射光照射，光照强度2600‑3000lx，通风良好。