[发明专利]用于减少集成电路中的非均匀老化的技术在审
| 申请号： | 201811114266.3 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109560791A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | H.施密特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03K3/03 | 分类号： | H03K3/03;H03K19/177 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于减少集成电路中的非均匀老化的技术。一种集成电路包括：第一电路，其被配置成实现针对所述集成电路的用户设计；第二电路，其未被所述用户设计使用；以及配置电路，其通过导体网络将所述第二电路耦合在一起。所述第二电路中的晶体管响应于变化信号而接通和关断，所述变化信号在所述第一电路实现所述用户设计时传播通过所述第二电路且通过所述导体网络。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 用户设计 电路 变化信号 导体网络 非均匀 老化 电路实现 电路耦合 配置电路 晶体管 关断 接通 响应 配置 传播 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：第一电路，其被配置成实现针对所述集成电路的用户设计；第二电路，其未被所述用户设计使用；以及配置电路，其通过导体网络将所述第二电路耦合在一起，其中所述第二电路中的晶体管响应于下述变化信号而接通和关断，该变化信号在所述第一电路实现所述用户设计时继续传播通过所述第二电路且通过所述导体网络。
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