[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811113251.5 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN109166852B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 置田阳一;伊藤英树;王文生 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体存储方案股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B53/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;黄艳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，特别是一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；在该第一保护性绝缘膜形成之后，通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用第二保护性绝缘膜填充沿着介电膜的晶界的间隙；在第二保护性绝缘膜形成后，使导电膜形成图案以提供下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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