[发明专利]一种应用于WLED器件的单离子掺杂的白色荧光粉及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811111975.6 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109294576B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 吴明娒;李晓辉;石建新 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C09K11/67 分类号: C09K11/67;H01L33/50
代理公司: 广州市深研专利事务所(普通合伙) 44229 代理人: 姜若天
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种应用于WLED器件的单离子掺杂的白色荧光粉,其化学式为:A3B'B''2O9:xRE3+,A为碱土金属,B'为低价态过渡金属,B''为高价态过渡金属;x为掺杂离子摩尔比系数,取值范围分别为:0.001≤x≤0.999;RE3+为三价掺杂离子,选自Sm3+、Tm3+、Eu3+、Ga3+、La3+、Sc3+、Y3+。本发明的WLED用白色荧光粉,在保证结构特性的前提下,寻找得到了一种新型的单个三价离子掺杂的单基质白色荧光粉,所制获的材料暖白光的发光强度高,并且其具有宽的发射(400 nm‑850nm)和高的显色性以及较好的色稳定性。
搜索关键词: 一种 应用于 wled 器件 离子 掺杂 白色 荧光粉 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种应用于WLED器件的单离子掺杂的白色荧光粉,其化学式为:A3B'B''2O9: xRE3+,A为碱土金属,B'为低价态过渡金属,B''为高价态过渡金属;x为掺杂离子摩尔比系数,取值范围分别为:0.001≤x≤0.999;RE3+为三价掺杂离子,选自Sm3+、Tm3+、Eu3+、Ga3+、La3+、Sc3+、Y3+。
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