[发明专利]地址和命令发生电路以及半导体系统有效
| 申请号： | 201811102287.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110197685B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李东郁;金支焕;朴日光 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/00 | 分类号： | G06F11/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种地址和命令发生电路以及半导体系统。所述地址和命令发生电路可以包括列地址发生器，所述列地址发生器被配置为：校正列地址的错误，当所述列地址对应于读取命令时基于未校正的列地址来产生内部列地址，以及当所述列地址对应于写入命令时基于校正的列地址来产生所述内部列地址。 | ||
| 搜索关键词： | 地址 命令 发生 电路 以及 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种地址和命令发生电路，包括：列地址发生器，其被配置为：校正列地址的错误，当所述列地址对应于读取命令时基于未校正的列地址来产生内部列地址，以及当所述列地址对应于写入命令时基于校正的列地址来产生所述内部列地址。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811102287.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
