[发明专利]一种红外探测器电学引出装置有效
申请号: | 201811099469.X | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109449215B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 张磊;张懿;东海杰;孟令伟;孙浩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 于金平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器电学引出装置,本发明设置金属件,通过金属件将陶瓷件和连接器相连接,由于本发明的陶瓷件可以为矩形或圆形,从而可以突破陶瓷环加工尺寸的限制,解决大面阵探测器无法使用陶瓷引线环进行电学引出的问题,同时使用微距连接器与处理电路连接,可以实现红外探测器组件电学接口的小型化。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 电学 引出 装置 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器电学引出装置,其特征在于,包括:金属件,用于固定陶瓷件和连接器,并与杜瓦金属零件进行连接;所述陶瓷件上设有键合指,所述键合指用于与探测器芯片进行引线键合;所述连接器,其上的电极用于将所述陶瓷件与外部处理电路形成电学通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的