[发明专利]一种太赫兹反射式移相单元及其内部液晶的快速调控方法有效
| 申请号： | 201811099293.8 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109193162B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 杨军;高盛;郑安东;尹治平;邓光晟;陆红波;赖伟恩 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01Q3/36 | 分类号： | H01Q3/36;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 张铁兰 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹反射式移相单元及其内部液晶的快速调控方法，将金属栅分为两组，两组线栅以插指形式分布，对相邻线栅采用不同馈电电压来对液晶层中的电场调控，当两组线栅施加同向电压时，液晶层中产生的电场，电场方向平行于上、下层介质基板，液晶分子水平分布；当两组线栅施加反向电压时，液晶层中产生的电场，电场方向垂直于上、下层介质基板，液晶分子垂直分布，通过逐渐变换施加同向电压和反向电压在两组线栅上，实现对液晶层中液晶分子的纯外加电场调控。本发明通过单纯对液晶中电场的控制使得变化过程更易掌控，液晶偏转更加迅速，提高了使得液晶恢复时的相应时间提高，在无取向层作用下，结构的稳定性得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 反射 式移相 单元 及其 内部 液晶 快速 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹反射式移相单元，其特征在于：包括有上层介质基板和下层介质基板，在上层介质基板的下表面设置有周期排列的金属谐振结构，在下层介质基板的上表面设置有周期性的金属栅层，所述的金属栅层的金属栅分为两组，两组线栅以插指形式分布，在上层、下层介质基板之间注入液晶层，在下层介质基板的下表面设有金属接地层。
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