[发明专利]形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法有效
申请号: | 201811092945.5 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109509722B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 梁悳景;李勋择;金成洙;李喜秀 | 申请(专利权)人: | 新科金朋私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/18;H01L25/16;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈晓;闫小龙 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法,以及具有所述嵌入式管芯衬底的系统级封装模块。一种半导体器件具有第一衬底。第一半导体组件被设置在所述第一衬底的第一表面上。第二衬底包括在所述第二衬底的第一表面上的垂直互连结构。第二半导体组件被设置在所述第二衬底的第一表面上。所述第一半导体组件或第二半导体组件是半导体封装。所述第一衬底被设置在所述第二衬底之上,其中所述第一半导体组件和第二半导体组件在所述第一衬底和第二衬底之间。第一密封剂被沉积在所述第一衬底和第二衬底之间。SiP子模块被设置在所述第一衬底或第二衬底之上,与密封剂相对。在SiP子模块之上形成屏蔽层。 | ||
搜索关键词: | 形成 嵌入式 管芯 衬底 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作半导体器件的方法,包括:提供第一衬底;将第一半导体组件设置在所述第一衬底的第一表面上;提供第二衬底,其包括在所述第二衬底的第一表面上的垂直互连结构;将第二半导体组件设置在所述第二衬底的第一表面上;将所述第一衬底设置在所述第二衬底之上,其中所述第一半导体组件和第二半导体组件在所述第一衬底和第二衬底之间;以及将第一密封剂沉积在所述第一衬底和第二衬底之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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