[发明专利]一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料及制备方法有效
申请号: | 201811091505.8 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109400892B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 唐群;韦文厂;杨琰莉;程泽;胡嘉议;邹志明;张淑芬;梁福沛 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C08G83/00 | 分类号: | C08G83/00;B01J20/22;B01J20/28;B01J20/30;B01D53/02 |
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地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: |
本发明公开了一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料及制备方法。铜基框架材料的化学式为{[Cu(H |
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搜索关键词: | 一种 吸附 挥发性 气体 框架 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料,其特征在于可吸附易挥发性气体的铜基框架材料化学式为{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n,其中:C6H4O4S=2,5‑噻吩二甲酸;DMF=N,N‑二甲基甲酰胺;分子式为:C9H11CuO6NS,分子量为:325.12;晶体结构数据见表一,部分键长键角见表二;该化合物属于单斜晶系,P21/n空间群,中心金属离子为Cu2+;化合物在温度为483.15K下进行去溶剂化后,孔径尺寸为16.97×
移除孔道内游离的DMF分子及Cu2+上的配位水分子之后,可暴露出金属活性位点及未配位的羧酸基团,提高了对气体的吸附性能;表一:{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n的晶体参数![]()
aR1=Σ||Fo|–|Fc||/Σ|Fo|.bwR2=[Σw(|Fo2|–|Fc2|)2/Σw(|Fo2|)2]1/2表二:{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n的键长
和键角(°)
对称码:(i)‑x,‑y,‑z;(ii)‑x‑1,‑y,‑z。
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