[发明专利]改善光刻胶表面粗糙度的方法在审
| 申请号： | 201811060348.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109062010A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 成智国;耿文练 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善光刻胶表面粗糙度的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：应用HMDS对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理；将经疏水化处理过后的晶圆传送至匀胶显影机的冷板冷却至室温，通过转速为ω0的旋转涂胶方法将光刻胶均匀涂布在晶圆表面；以烘焙温度T0对涂有光刻胶的晶圆进行烘干；以转速ω1旋转经烘干后的晶圆，并同时用溶剂喷淋在光刻胶表面，其中ω1＜ω0；以及，以烘焙温度T1对经喷淋后的晶圆进行再次烘干，其中T1＜T0，以改善光刻胶表面的粗糙度，促使晶圆后续进行更均匀、充分的曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 光刻胶表面 粗糙度 烘干 疏水化处理 晶圆表面 光刻胶 烘焙 喷淋 半导体集成电路制造 匀胶显影机 均匀涂布 冷板冷却 旋转涂胶 用溶剂 清洗 传送 曝光 应用 | ||
【主权项】：
1.一种改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：S1：应用六甲基二硅胺脘蒸汽(HMDS)对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理；S2：将经疏水化处理过后的晶圆传送至匀胶显影机的冷板冷却至室温，通过转速为ω0的旋转涂胶方法将光刻胶均匀涂布在晶圆表面；S3：以烘焙温度T0对涂有光刻胶的晶圆进行烘干；S4：以转速ω1旋转经步骤S3烘干后的晶圆，并同时用溶剂喷淋在光刻胶表面，其中ω1＜ω0；以及S5：以烘焙温度T1对经步骤S4喷淋后的晶圆进行再次烘干，其中T1＜T0。
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