[发明专利]一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池自下而上依次为：背面电极、多结半导体衬底(包括Ge电池、第一隧穿层、GaAs电池、第二隧穿层)、石墨烯/AlxGa1‑xAs层、正面电极。本发明的多结异质太阳能电池利用Ge、GaAs、AlxGa1‑xAs的帯隙不同，可对不同频率的太阳能分别吸收，从而显著提高太阳能电池的光电转换效率。此外，与传统多结太阳能电池相比，石墨烯与半导体形成异质结不需要晶格匹配，且顶电池可直接键合至多结半导体层衬底上，同时石墨烯与半导体形成的异质结具有更高的开路电压。本发明的多结异质太阳能电池具有转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。

主权项

1.一种石墨烯/AlxGa1‑xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，自下而上依次有背面电极(1)、多结半导体层(2)、石墨烯/AlxGa1‑xAs层(3)和正面电极(4)，且石墨烯/AlxGa1‑xAs层(3)是直接转移至多结半导体层表面形成键合，AlxGa1‑xAs与多结半导体层直接接触，石墨烯设置在AlxGa1‑xAs上，其中AlxGa1‑xAs层中0＜x＜1。