[发明专利]低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法有效
| 申请号： | 201811037917.3 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880350B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 林信章;钟承谕;黄文谦 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法，此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列，每一子内存阵列包含第一记忆晶胞与第二记忆晶胞，第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位线的另一位线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。本发明的操作方法利用特殊的偏压设定来达到低电流、低电压且低成本，又具有字节写入、抹除的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 电子 复写 只读存储器 阵列 操作方法 | ||
【主权项】：
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