[发明专利]一种混合曝光快速精确制作微电极的方法

摘要

本发明公开了一种混合曝光快速精确制作微电极的方法，先在基底上通过紫外曝光方法设计制作带标记图形的基底，再将材料转移或生长在带有标记的基底上。在电子束曝光机以外的电脑上进行曝光图形的绘制；样品放入电子束曝光机后，只需曝光电极图形，无需曝光制作标记、画图形的时间，所以效率高；同时，利用紫外曝光制作标记，时间短、效率高。曝光前再次通过数字标记校准写场，曝光精度高。

主权项

1.一种制作微电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，带数字标记的硅片制作，具体为：绘制标记图形，标记图形以阵列的形式在平面内排布，得到掩模板；将硅片旋涂光刻胶，通过紫外曝光机，将掩模板上的标记图形曝光转移到硅片的光刻胶上；再通过显影和金属沉积过程，将掩模板上标记图形对应的位置上沉积金属，如此获得带有标记的硅片；步骤二，曝光图形的准备，具体为：在画图软件上，设置两个绘制层：校准层和电极层；将薄层材料样品放置在步骤一制作好的硅片上，通过光学显微镜拍摄含薄层材料样品的图片，该图片包括薄层材料样品及周围的四个标记；以该图片中薄层材料样品所在位置为参考，在画图软件的电极层中的薄层材料样品处绘制电极；在校准层绘制四个方框，四个方框的中心与所述图片中四个标记的中心一一对应重合；步骤三，薄层材料样品定标：将带着薄层材料样品的硅片，旋涂PMMA胶；在硅片上待曝光区域之外，选择一个标记图形中心，作为原点；通过原点位置，以及标记图形之间的距离，计算出待曝光区域中心位置的坐标；步骤四，校准电子束具体为：将步骤二得到的带有薄层材料样品的硅片置于电子束曝光机样品室中，根据步骤三计算得到的曝光区域中心位置的坐标，将电子束移到曝光区域中心；首先打开电子束开关开始曝光校准层；曝光完成后，如果四个方框中心偏离四个标记的中心，调整电子束中心的位置，重新曝光校准层，并再次根据四个方框中心偏离四个标记的中心的情况调整电子束中心的位置，直到四个方框的中心与四个标记中心一一对应重合；步骤五，曝光电极层：电子束曝光系统的软件选择电极层，电子束曝光系统的电子束按照电极层图形开始扫描，完成电极的曝光；最后再通过显影和金属沉积过程，在电极对应的位置沉积金属，完成金属微电极制备。