[发明专利]多晶硅生产中高沸物裂解工艺有效
| 申请号： | 201811011277.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108658082B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王亚萍;甘居富;彭中;游书华;张聪;罗周;何鹏;李寿琴 | 申请（专利权）人： | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强;罗满 |
| 地址： | 014000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺，包括：预处理：去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物，得到第一混合物；第一次分离：在50‑150℃下使所述第一混合物分离，得到四氯化硅和氯硅烷低聚物；裂解：所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物；第二次分离：将所述氯硅烷混合物送回脱高塔，去除未裂解的氯硅烷低聚物，得到单硅氯硅烷和不凝气。本工艺通过除去金属氯化物，可以有效防止金属氯化物与催化剂形成络合物，导致催化剂失活。所述沉降罐下端通入有承插管，所述承插管用于导出沉降后位于上层的低聚物混合物，使低聚物混合物催化裂解反应能更高效的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生产 中高 裂解 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺，其特征在于，包括：预处理：去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物，得到第一混合物；第一次分离：在50‑150℃下使所述第一混合物在脱高塔中分离，得到四氯化硅和氯硅烷低聚物；裂解：所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物；第二次分离：将所述氯硅烷混合物送回脱高塔，去除未裂解的氯硅烷低聚物，得到单硅氯硅烷和不凝气。
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